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2026-07-10 00:00 中国 论文发表 基础与方法 译自 EN

200kV/m核电磁脉冲抑制大鼠运动皮层场电位,耦合通路在电极

内容概述 该研究考察脑机接口电极暴露于强电磁环境时的潜在脑风险:对植入脑电极的大鼠施以核电磁脉冲(NEMP)照射,并通过多通道生理信号采集处理系统记录初级运动皮层(M1)的局部场电位,再利用MATLAB对不同照射强度下的局部场电位进行时频与功率谱分析。结果显示,200 kV/m的NEMP可抑制静息状态大鼠局部场电位的Alpha和Delta频段,且该效应与NEMP和电极之间的前门耦合有关,耦合电流刺激大鼠脑部并影响其意识状态。作者认为,该研究为脑机接口的电磁防护提供了新方向,属于BCI电极安全性的早期动物数据。
推荐理由 针对脑机接口电极暴露于强电磁环境的安全性研究,显示200 kV/m核电磁脉冲可抑制大鼠初级运动皮层局部场电位的Alpha与Delta频段,为BCI电磁防护提供数据。

该研究发表于Journal of Physics: Conference Series,考察脑机接口电极暴露于强电磁环境时的潜在脑风险:对植入脑电极的大鼠施以核电磁脉冲(NEMP)照射,并记录初级运动皮层(M1)的局部场电位。

结果显示,200 kV/m的NEMP可抑制静息状态大鼠局部场电位的Alpha和Delta频段,且与NEMP和电极之间的前门耦合有关,耦合电流刺激大鼠脑部并影响其意识状态,为脑机接口的电磁防护研究提供了新方向。(DOI 10.1088/1742-6596/3268/1/012018)

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doi.org 2026-07-10
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