该研究发表于Journal of Physics: Conference Series,考察脑机接口电极暴露于强电磁环境时的潜在脑风险:对植入脑电极的大鼠施以核电磁脉冲(NEMP)照射,并记录初级运动皮层(M1)的局部场电位。
结果显示,200 kV/m的NEMP可抑制静息状态大鼠局部场电位的Alpha和Delta频段,且与NEMP和电极之间的前门耦合有关,耦合电流刺激大鼠脑部并影响其意识状态,为脑机接口的电磁防护研究提供了新方向。(DOI 10.1088/1742-6596/3268/1/012018)